單晶硅太陽能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)：獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì)，分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營成本，多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制，機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證，適應(yīng)性強(qiáng)的工

四十五所密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)已形成30MW和60MW兩種能規(guī)模的主流生產(chǎn)線的設(shè)備配套能力，批次處理產(chǎn)能為200片，300片，400片。目前用戶分布在廣東、江蘇

四十五所密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)已形成30MW和60MW兩種能規(guī)模的主流生產(chǎn)線的設(shè)備配套能力，批次處理產(chǎn)能為200片，300片，400片。目前用戶分布在廣東、江蘇

單晶硅太陽能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)：獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì)，分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營成本，多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制，機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證，適應(yīng)性強(qiáng)的工

四十五所密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)已形成30MW和60MW兩種能規(guī)模的主流生產(chǎn)線的設(shè)備配套能力，批次處理產(chǎn)能為200片，300片，400片。目前用戶分布在廣東、江蘇

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS

四十五所全自動(dòng)RCA清洗機(jī)能有效去除晶片表面各種污染，包括：有機(jī)物、顆粒、金屬離子和氧化層等。可根據(jù)客戶需求配備高潔凈凈化層（FFU），集成干燥單元（甩干單元或IPA慢提拉單元）。   &n

微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括微傳感器、微致動(dòng)器、微能源等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成電路組成的微機(jī)電器件與裝置。四十五所研制的MEMS器件制造濕法處理設(shè)備包含濕法硅刻蝕、

四十五所第二設(shè)備事業(yè)部，依托集成電路濕法設(shè)備技術(shù)基礎(chǔ)、結(jié)合硅材料加工工藝特點(diǎn)，研制開發(fā)從硅棒加工到最終晶圓出廠工藝流程全系列濕法處理設(shè)備，包含切片后清洗機(jī)、倒角后清洗機(jī)、磨片后清洗機(jī)、化學(xué)腐蝕清洗機(jī)、

單晶圓腐蝕清洗設(shè)備，可廣泛應(yīng)用于刻蝕、剝離、化學(xué)減薄、顯影、去膠、材料清洗等濕法工藝，采用單晶圓處理方式，具有均勻性好，工藝可控性高等特點(diǎn)。    

DFQ-3100型全自動(dòng)金屬膜剝離機(jī)，用于聲表面波（SAW）器件、GaAs微波、毫米波器件、MEMS器件、OLED器件和先進(jìn)封裝等制造中微細(xì)圖形金屬膜剝離工藝，自動(dòng)完成厚度在0.25mm～0.7mm的

全自動(dòng)光刻版（掩膜版）清洗機(jī)，用于半導(dǎo)體制造過程中光刻版自動(dòng)清洗、及干燥工藝。該設(shè)備可有效光刻版在使用過程中表面粘附的殘膠、油污、顆粒等污染，大大改善光刻工藝效果。    

全自動(dòng)單晶圓化學(xué)減薄設(shè)備，用于硅、砷化鎵、磷化銦等材料的襯底化學(xué)減薄工藝，可以有效去除在機(jī)械減薄過程中產(chǎn)生的應(yīng)力層，也可以用于不適用機(jī)械減薄的工藝。