半導體器件測試儀銷售<p> </p><p>實現(xiàn)耐壓2.5KV/2.5KA碳化硅元器件的靜態(tài)全參數(shù)測試，實現(xiàn)測試數(shù)據(jù)列表和圖形展示。&nbsp;

功率器件流水線全靜態(tài)參數(shù)自動測試系統(tǒng)<p>實現(xiàn)耐壓2.5KV/2.5KA碳化硅元器件的靜態(tài)全參數(shù)測試，實現(xiàn)測試數(shù)據(jù)列表和圖形展示。</p><p>特大功率碳化硅器件測

陜西少子壽命價格<p>此設備采用開路電壓衰減法設計，開路電壓衰減法是測試少子壽命的一種方法。適合于測量PN結參雜區(qū)的少子壽命。被測的PN結P側和N側要分別形成歐姆接觸。（測試的前題是必須形

功率電子器件正向壽命試驗系統(tǒng)<p>試驗電流：0.1mA～50A<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&a

高壓反偏設備<p>在設定電壓（反偏電壓一直加）下對22個器件的漏電流依次進行測試，兩工位之間的測試時間間隔為10mS，22個工位測試完成后自動切換到下一組設定的電壓條件下進行測試，直到測試

碳化硅浪涌試驗臺生產(chǎn)商<p>本測試臺主要針對碳化硅器件特性專門設計，可對被測器件進行浪涌電流試驗； <br/>脈沖寬度8.3ms，浪涌電流可加到50A；<br/>脈

碳化硅器件動態(tài)參數(shù)測試臺<p>&nbsp; &nbsp;適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數(shù)測試。<br/>主要技術參數(shù)：IGBT開關特性測

小電流測試選件<p>與主機連接使用，可完成1μA以下漏電流的智能化精密測試，穩(wěn)定延遲設定時間最長可達98ms。<br/><br/>測試范圍&nbsp; 10

半導體分立器件測試價格<p>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 柜機主要滿足中小功率半導體分立器件全靜態(tài)參數(shù)的測試。此設備控制極電壓為80V，可滿足控制極電壓等級

大功率碳化硅器件測試系統(tǒng)生產(chǎn)商<p>實現(xiàn)耐壓2.5KV/2.5KA碳化硅元器件的靜態(tài)全參數(shù)測試，實現(xiàn)測試數(shù)據(jù)列表和圖形展示。&nbsp;&nbsp; 特大功率碳化硅器件測試

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